据韩媒ET News援引业界消息，SK海力士正计划在晶圆切割工艺中引入飞秒激光技术，以应对第六代高带宽存储器（HBM4）和400层以上NAND Flash晶圆的制造需求。这些先进存储器的晶圆厚度逐渐变薄，现有切割方式已接近极限。

SK海力士正与激光设备合作伙伴洽谈，针对飞秒激光雕沟（femtosecond laser grooving）和全切割（full cut）技术进行评估和测试。飞秒激光通过千万亿分之一秒的激光脉冲，能够以极高的精度切割晶圆，同时大幅降低材料损伤。这种技术不仅可以用于HBM4，还将扩展至400层以上NAND产品的制造。

对于400层以上NAND Flash，存储单元（cell）和周边电路（Peripheral）区域分别制造在不同晶圆上，随后需要将两片晶圆黏合。这一工艺要求晶圆更薄，通常在20~30微米（μm）之间，远低于传统切割技术适用的50~100微米范围。

目前，SK海力士主要采用机械切割和隐形切割（stealth dicing）技术。机械切割使用钻石砂轮切开晶圆，而隐形切割则通过内部裂纹分离晶圆。然而，随着晶圆厚度的降低，这两种方法的难度和风险显著增加，可能导致异物产生或微细裂痕，影响半导体良率。

值得注意的是，三星电子此前也曾传出计划在先进半导体制造中采用飞秒激光技术，并已引入相关设备。SK海力士的这一动向，或将加速飞秒激光技术在半导体行业的普及。

SK海力士表示，目前公司正在评估多种技术方案，尚未作出最终决定。