据日经亚洲（Nikkei Asia）报道，联电正面临来自中国大陆芯片制造本土化的竞争压力，尤其是中芯国际等晶圆制造企业的崛起。为应对这一挑战，联电正在评估进军先进制程芯片制造的可能性，其中包括6纳米制程技术的潜在发展。

消息人士透露，联电正在考虑与英特尔（Intel）扩大合作，特别是在12纳米芯片生产领域。双方计划于2027年在亚利桑那州展开合作，可能涉及6纳米制程技术。此外，联电也在评估扩展先进芯片封装业务的可行性。

联电财务长刘启东表示，公司在探索更先进的制造技术时，需要通过合作伙伴关系来减轻财务压力。然而，对于是否会进一步拓展与英特尔的合作关系，刘启东并未明确表态。他强调，若进军先进制程领域，联电将采取“轻资产”模式，寻求合作伙伴共同分担资本支出。

业内人士指出，联电进军6纳米制程面临的主要障碍是高昂的资本投入。建设一条年产能2万片晶圆的6纳米生产线，预计需要至少50亿美元的投资。此外，如何确保新增产能能够吸引足够的客户，也是联电需要解决的问题。