据韩媒the bell报道，三星电子正加速推进其第六代高带宽存储器（HBM）HBM4的研发与生产布局。据悉，三星已进入12层HBM4样品出货的最后准备阶段，并计划于7月初向NVIDIA、超微（AMD）等主要客户供应样品。不过，针对这一传闻，三星相关人士回应称“无法确认”。

韩国业界消息指出，三星将7月定为12层HBM4样品出货的内部目标时间，同时计划在8月底提供16层HBM4样品。相比之下，SK海力士预计在2025年3月向客户供应HBM4样品，而美光则计划在2025年6月跟进，三星的进度稍显落后。

负责三星HBM4开发的相关人士透露，目前HBM4样品已进入“内部评估最后阶段”，很快将进入出货阶段。据悉，这批样品将交付NVIDIA、超微等潜在客户。NVIDIA计划从2026年的AI加速器“Rubin”开始搭载HBM4，而超微的MI400系列也将在2026年采用该产品。

自三星半导体暨装置解决方案（Device Solutions；DS）部门负责人全永铉上任以来，三星的HBM竞争力显著提升。全永铉推动重新设计1c DRAM，并将其作为HBM4的核心芯片。这一策略的成功，加上主要客户对HBM4的需求略有延后，使三星得以快速改善1c DRAM的良率。

目前，SK海力士作为NVIDIA的首选HBM供应商，尚未确定12层HBM4的订单数量。据传，SK海力士正与NVIDIA协商供应价格，但由于双方存在分歧，订单确认有所延迟。考虑到8层HBM3E每颗售价超过350美元，12层HBM4的价格预计突破600美元。

若三星供应的样品能够顺利通过客户测试，HBM4的量产有望在2025年底启动。三星正计划在平泽P4厂及华城17产线进行1c DRAM的设备投资与制程转换，为量产做准备。

业内人士指出，尽管1c DRAM的良率正在提升，但样品供应与量产良率仍是两个不同的问题。三星在HBM及核心芯片的良率方面，仍落后于竞争对手，距离正式量产可能还需一段时间。