据韩媒《韩国经济》和韩联社援引业界消息，SK海力士近日宣布，计划在韩国忠清北道清州市建设第七座半导体后段制程工厂。这一计划被视为SK海力士进一步扩大DRAM产能，并提升高带宽存储器（HBM）等高性能产品竞争力的重要举措。
新工厂将被命名为“封装与测试（P&T）7”，选址为此前收购的清州乐金电子（LG Electronics）第二工厂所在地。SK海力士计划拆除现有建筑，拆除工程预计于2025年9月完成。目前，SK海力士在韩国京畿道利川和清州等地已拥有6座后段制程工厂。不过，关于新工厂的具体动工时间、投资规模及用途等细节尚未最终确定，初期将以测试用途为主，并在后续运行中逐步明确发展方向。
值得注意的是，SK海力士还计划在美国印第安纳州建立一座先进半导体封装工厂，进一步拓展其全球布局。随着晶圆前段制程微缩技术逐渐接近物理极限，后段制程中的封装技术变得愈发重要。先进封装技术不仅能够显著提升芯片性能和能效，对于由多颗DRAM堆叠而成的HBM而言，更是核心技术之一。
作为NVIDIA HBM的主要供应商，SK海力士此次扩建后段制程设施，无疑将进一步巩固其在DRAM市场的领先地位。SK海力士相关人士表示，新工厂不仅将用于HBM生产，还将提升移动式DRAM及模块等产品的整体后段制程技术实力。
