据业内消息人士透露，三星电子正通过提升下一代DRAM良率，加速推进其市场战略。此前，由于在AI半导体高带宽内存（HBM）领域的竞争压力，三星在第一季度被SK海力士超越，失去了DRAM市场的领先地位。然而，随着10nm级第六代DRAM良率的显著提升，三星已迅速转入大规模生产阶段，这也被视为其计划年内量产HBM4的积极信号。

三星研发团队通过多项结构创新，显著提高了芯片效率和生产力。数据显示，上个月在10nm级第六代DRAM晶圆性能测试中，三星实现了50%-70%的良率，较去年同一产品的不到30%有了显著进步。这一突破被认为是关键进展。

三星原计划在去年年底量产10nm级第六代DRAM，但由于重新设计芯片，导致延迟超过一年。目前，三星正通过投资平泽工厂4号DRAM生产线，为大规模量产做准备。该生产线将主要供应移动设备（LPDDR）和服务器应用，而用于HBM4的10nm级第六代DRAM生产设施则位于平泽工厂3号。

行业人士指出，移动/服务器DRAM与HBM的核心存储单元结构相似，因此此次DRAM量产将对HBM4的开发产生积极影响。三星或将进一步加大对平泽3号工厂HBM4工艺的投资，以增强其市场竞争力。