据韩媒Businesspost报道，三星电子在2025年6月进行的第三次NVIDIA高带宽存储器（HBM）认证中未能通过，涉及的产品为12层HBM3E。目前，三星正计划在2025年9月重新进行认证。

香港某券商的报告指出，三星在2025年6月的认证中未能达到预期标准，因此下一轮认证被安排在同年9月。与此同时，美光通过采用韩美半导体的设备，成功将8层和12层HBM3E的良率提升至70%以上，其中12层HBM3E的良率达到70%，8层HBM3E的良率则达到75%。

三星近期正在积极推动NVIDIA的HBM3E认证，外界此前普遍预测认证可能在2025年6月或7月完成。为了应对认证后的供货需求，三星还提前增加了HBM3E的产量。

瑞银集团的报告也提到，三星12层HBM3E的NVIDIA认证仍在等待中，预计其供应将推迟至2025年第四季度。相较之下，美光在热压键合机（TC Bonder；TCB）设备的应用上表现突出，显著提升了产品的良率。