据报道，上海交大无锡光子芯片研究院（CHIPX）近日宣布，国内首条光子芯片中试线成功下线首片6英寸薄膜铌酸锂光子芯片晶圆，并实现高性能薄膜铌酸锂调制器芯片的规模化量产。
薄膜铌酸锂作为一种高性能光电材料，具备超快电光效应、高带宽和低功耗等优势，广泛应用于5G通信和量子计算领域。然而，由于其材料脆性大，大尺寸晶圆制备和纳米级加工精度控制一直是行业难题。
为攻克这一技术瓶颈，CHIPX工艺团队依托国内首条光子芯片中试线，引进110余台国际顶级CMOS工艺设备，构建了从光刻到封装的全闭环工艺链。团队通过创新性开发芯片设计与工艺方案，成功实现晶圆级光子芯片集成工艺的重大突破。在6英寸铌酸锂晶圆上，团队实现了110nm高精度波导刻蚀，并完成了纳米级波导与复杂高性能电极结构的跨尺度集成。
此次量产的高性能薄膜铌酸锂调制器芯片表现优异：调制带宽突破110GHz，插入损耗＜3.5dB，波导损耗＜0.2dB/cm，调制效率达到1.9 V·cm。这些关键指标全面领先，显著提升了光传输效率和电光转换性能。
中试线的启用为光量子芯片产业化提供了重要支撑。研究院计划发布包含核心工艺参数与器件模型的PDK工艺设计包，助力构建标准化光子芯片设计体系。未来，研究院将拓展多材料体系，建设具备稳定量产能力的晶圆级光子芯片产线，目标打造全球最大规模的光子芯片产业基地。
