据Wccftech报道，中国自主研发的极紫外光（EUV）设备预计将于2025年第三季度开始试生产，2026年投入量产。此举旨在突破美国对EUV设备出口的禁令，推动中国本土先进芯片制造发展。

中国自研EUV设备采用雷射诱导放电电浆（LDP）技术，与荷兰ASML的LPP技术不同。该技术通过蒸发少量锡并转化为电浆，产生13.5纳米EUV光，具有高效节能的特点。目前，该设备正在华为东莞工厂进行测试。

若LDP技术EUV设备成功商用化，将有望挑战ASML在微影技术领域的地位。此前，中国哈尔滨创新团队已研发出满足微影市场需求的放电电浆EUV光源，波长为13.5纳米。

中国自研EUV设备的量产将为中国本土芯片制造提供重要支持，推动中国在全球半导体产业中的地位进一步提升。