杭州镓仁全球首发 8 英寸氧化镓单晶
来源:龙灵 发布时间:2025-03-09
分享至微信

杭州镓仁半导体有限公司传来消息,其成功发布全球首颗第四代半导体氧化镓 8 英寸单晶。该公司凭借完全自主创新的铸造法,实现了 8 英寸氧化镓单晶的生长,并且还能加工出对应尺寸的晶圆衬底,成为国际上率先掌握这一前沿技术的企业。
8 英寸氧化镓的诞生意义非凡。一方面,它能与现有的硅基芯片厂 8 英寸产线完美兼容,这为其产业化应用按下了 “加速键”;另一方面,增大的衬底尺寸可以提高材料利用率,降低生产成本,同时提升生产效率。
氧化镓拥有超宽带隙,其禁带宽度在 4 - 4.9eV 之间,远超第三代半导体碳化硅的 3.2eV 和氮化镓的 3.39eV。这种特性赋予了氧化镓诸多优势,比如耐高压、耐高温、适合大功率场景以及具备抗辐照能力等。其超高临界击穿场强可达 8MV/cm,能承受比 SiC 或 GaN 器件更高的工作电压,同时导通电阻更低。
基于这些特性,氧化镓在众多领域都展现出广阔的应用前景。在功率电子器件领域,它可以助力数据中心实现高效节能;在轨道交通、光伏逆变器、大功率通信等高压、大电流场景中,能提升系统的稳定性和效率。在新能源汽车领域,随着汽车电压平台从 400V 向 800V 甚至更高发展,氧化镓制备的功率器件有望将充电时间从目前快充的 30 分钟大幅缩短至 7 分钟左右,极大地改善用户体验。
不过,氧化镓在产业化的道路上并非一帆风顺,成本问题是其面临的主要挑战之一。虽然氧化镓衬底的制备难度低于部分其他第四代半导体材料,如金刚石和氮化铝,但由于此前主要通过 EFG 法生产,该方法需要在约 1800℃的高温且含氧环境中进行晶体生长,对生长环境要求苛刻,坩埚只能使用贵金属铱,导致成本居高不下。
[ 新闻来源:龙灵,更多精彩资讯请下载icspec App。如对本稿件有异议,请联系微信客服specltkj]
存入云盘 收藏
举报
全部评论
暂无评论哦,快来评论一下吧!

龙灵
开创IC领域,共创美好未来!
查看更多
相关文章
全球首条氧化镓压电薄膜芯片生产线即将试产
2025-06-16
上杭县将建成全球首条氧化镓高频滤波芯片生产线
2025-06-13
氧化镓外延技术新突破!拓诺稀科技南沙厂房启用
2025-05-28
新型晶体管问世:东京大学研发掺镓氧化铟技术
2025-06-30
英诺赛科加速布局氮化镓市场,8英寸产线成核心战略
2025-07-15
热门搜索
大联大调整!诠鼎、友尚、品佳,3合1
台积电拟退出氮化镓市场
华为
台积电
中芯国际
联发科
高通
英特尔
芯片