南亚科总经理李培瑛指出，2025年上半年DRAM市场仍处于低谷，而中国同业的DRAM产能已远超南亚科。尽管中国大厂主要集中在LPDDR4领域，但若非其产能输出，DRAM市场或已回暖。
中国政府的补贴方案、三大DRAM厂的产能调整以及AI需求的增长，正推动DDR4供需趋于平衡，非AI应用需求也有所好转。
中国长鑫存储的月产能持续增长，全球前七大手机品牌中有五家位于中国，这为中系DRAM产能提供了地利优势。
对于HBM技术的发展，南亚科认为高密度设计、多芯片封装和高带宽设计是关键要素，并计划随着市场需求提升，加强与客户在先进制程基础裸晶方面的合作。
展望2025年，南亚科将提升1B制程产品线占比，预计位元产出占总产出超30%。同时，南亚科计划全年资本支出不超过196亿元新台币，用于10纳米级制程技术、新厂建设及研发等领域。
在区域经济补贴刺激下，非AI领域需求有望进一步改善，手机及PC出货量及DRAM搭载量有望增长。南亚科预计2025年将推出新制程DDR5及LPDDR系列产品，以拓展市场。
