11月15日，中铁建工集团宣布，南京国博电子有限公司投资的射频集成电路产业化项目（二期）主体结构已全面封顶，正式转入二次结构、机电安装及装饰装修施工阶段。该项目占地约203亩，总投资30亿元，新建厂房及附属设施，并新增设备五百余台套，分两期建设。

一期项目投资额为20亿元，包括中试厂房、芯片厂房、模块厂房等设施，已于2023年竣工投产。二期项目重点补充射频集成电路封测制造能力，建成后将与一期形成射频集成电路规模化设计、制造能力。国博电子成立于2000年，位于南京市江宁区，隶属于中国电子科技集团有限公司，主要从事有源相控阵T/R组件和射频集成电路相关产品的研发、生产和销售。

尽管国博电子今年前三季度营收和净利润同比有所减少，公司在接受调研时表示，其GaN射频模块主要应用于国内5G通信基站，产品功率覆盖100W-600W，主流通信频段均有批量应用，显示出公司在射频技术领域的竞争力。