NCEPOWER(新洁能)公司简介

无锡新洁能股份有限公司（以下简称“公司”）成立于2013年1月，注册资本为29696万元，拥有新洁能香港、电基集成、金兰功率半导体、国硅集成电路四家子公司以及深圳分公司、宁波分公司。目前公司员工总共360余人，其中研发人员100余人。公司成立以来即专注于MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售，产品优质且系列齐全，广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子、新能源汽车及充电桩、智能装备制造、轨道交通、光伏新能源、5G等领域；未来随着云计算、大数据、智能电网、无人驾驶等领域的蓬勃发展，公司产品将在该等新兴领域发挥重要作用。

公司的主营业务为MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售，公司销售的产品按照是否封装可以分为芯片和封装成品。公司是专业化垂直分工厂商，芯片由公司设计方案后交由芯片代工企业进行代工生产，封装成品由公司委托外部封装测试企业对芯片进行封装测试而成。

公司为国内MOSFET等半导体功率器件设计领域领军企业，2016年以来连续五年名列“中国半导体功率器件十强企业”。公司已建立江苏省功率器件工程技术研究中心、江苏省企业研究生工作站、东南大学-无锡新洁能功率器件技术联合研发中心、江南大学-无锡新洁能功率器件技术联合研发中心。公司参与的“智能功率驱动芯片设计及制备的关键技术与应用”项目获得了2019年度江苏省科学技术一等奖，且获得2020年度技术发明奖。截至目前，公司拥有200项专利，其中发明专利80项；同时公司参与在IEEE，TDMR等国际知名期刊中发表论文18篇，其中SCI收录论文11篇，同时公司连续两年荣列“福布斯中国创新力企业榜TOP50”。

无锡电基集成科技有限公司位于无锡市新吴区电腾路6号，于2017年03月21日成立，是无锡新洁能股份有限公司的全资子公司。公司注册资本27000万元，占地15272平方米，建筑面积为21467平方米，目前封装测试车间面积为8000平米，主要封装形式为SOT、TO系列、DFN产品封装。公司专注于高性能、高可靠性功率半导体分立器件和多芯片电源管理器件的封装和测试，主营业务为电力电子元器件、集成电路及半导体模块产品的设计、制造和销售。公司具有当前世界先进水平的半导体器件封装和测试生产线，主力设备全部从美国、日本、新加坡等国进口，自动化程度高，保证了产品的稳定性，为现代化大生产提供了坚实基础。


新洁能荣获的部分荣誉或资质
2020年国家科学技术发明二等奖
高新技术企业证书
2019年江苏省科学技术一等奖
第十二届无锡市专利奖
江苏省研究生工作站
2020年中国半导体功率器件十强
2019年中国半导体功率器件十强
2017年中国半导体功率器件十强
ISO9001质量管理体系认证
IATF16949质量管理体系认证

公司基于全球半导体功率器件先进理论技术开发先进产品，是国内率先掌握超结理论技术，并量产屏蔽栅功率MOSFET及超结功率MOSFET的企业之一，是国内提前早在12英寸工艺平台实现沟槽型MOSFET、屏蔽栅MOSFET量产的企业。公司产品电压已经覆盖了12V~1700V的全系列产品、达1700余种，为国内MOSFET等功率器件市场占有率排名前列的本土企业。

公司将进一步依托技术、品牌、渠道等综合优势，结合大尺寸晶圆芯片（8英寸、12英寸）先进工艺技术，开拓国际先进功率器件封装制造技术，全力推进高端功率MOSFET、IGBT、集成功率器件的研发与产业化，持续布局半导体功率器件先进前沿的技术领域，并投入对SiC/GaN宽禁带半导体、智能功率器件的研发及产业化，提升公司核心产品竞争力和国内外市场地位。

2020年9月28日，公司在上交所主板完成挂牌，证券代码：605111。

NCEPOWER(新洁能)产品
MOSFET
新洁能致力于推广性能卓越、质量稳定并且极具价格竞争力的全系列MOSFET产品。我们为电路设计师们提供全面的产品选择，击穿电压覆盖-200V至300V，配合先进的封装技术，为您提供100mA至400A的电流选择范围。我们专注于持续改进MOSFET在电能转换过程中的系统效率和功率密度以及在苛刻环境下开关过程中的抗冲击雪崩耐量，实现快速、平稳的电源管理及电能转换。
通过采用先进的沟槽栅工艺技术和电流通路布局结构，新洁能MOSFET实现大幅度降低电流传导过程中的导通损耗。同时，电流在芯片元胞当中的流通会更加均匀稳定；应对于高频率的开关应用，我们为设计师们提供低开关损耗的系列产品（产品名称后加标C），其有效降低了栅极电荷（Qg），尤其是栅极漏极间的电荷（Qgd），从而在快速开关过程中降低开关功率损耗。
应对于半桥/全桥、AC/DC电源的同步整流以及其它需要反向续流的应用终端，我们的MOSFET着重优化了Body Diode，在提高和加快反向续流能力的同时，降低反向恢复过程中的峰值电流（Irm）和电压（Vrm）。
新洁能结合先进的封装技术将MOSFET功率、电流和可靠性提升至新的高度，我们推出TO-220H封装外形（产品名称后加标H），有效地增加了用户在电路板装配MOSFET的工作效率，并降低了成本。
产品系列
- Auto MOSFET
- 12-300V N MOSFET
- 12-150V P MOSFET
- 500-1050V N MOSFET
- 12-300V NP MOSFET
- 1500-1700V N MOSFET
- SiC MOSFET

IGBT
通过工艺与器件结构优化，新洁能提供高能效的IGBT产品。在导通压降与开关损耗之间做出了巧妙权衡，能够大幅度提高系统效率。同时，该系列产品具备良好稳定的短路能力，出色的低电磁干扰特性，可靠的开关速度控制力，为设计人员在系统可靠性方面设计提供充足的保障。不同系列（如B系列、W系列等）广泛应用于各个领域。
目前新一代---第七代微沟槽场截止技术IGBT产品采用先进的微沟槽技术大幅提高器件元胞结构密度，还采用了优化的载流子存储设计、多梯度背面缓冲层设计以及超薄漂移区工艺技术，大幅提升器件电流密度，以650V产品为例，产品电流密度可以提升至550A/cm2以上，可以与国际技术世代产品性能达到相同水平。器件的饱和压降和开关损耗大幅度降低，器件折中特性大幅优化，650V满足中频IGBT 饱和压降典型值仅1.35V。此外，该系列产品通过引入多梯度背面缓冲层设计，优化了器件的开关特性，为系统设计提供更大的余量。该系列产品全部基于大尺寸IGBT晶圆制造平台生产，实现了卓越器件电气特性与参数高一致性稳定性的全面结合。
产品系列
- AUTO IGBT
- 600-750V IGBT
- 1200-1350V IGBT

PIM
- E1系列
- E2系列
- N2系列
- N3系列
- D3系列
- 62系列
- E3系列
- LQ2系列
- 34系列

IPM

DRIVER IC

Auto MOSFET


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