随着半导体工艺不断向埃米级推进，GAA和背面供电技术日益成为晶圆厂的关键创新方向。英特尔在这场技术赛跑中迈出了重要一步，成为首个在20A节点量产中采用背面供电技术的厂商。这项技术的引入不仅将提升芯片的性能和能效，还有望降低制造成本和复杂度。

英特尔早在去年即在Blue Sky Creek测试芯片中验证了PowerVia背面供电技术的效果，这一技术为芯片带来了超过5%的性能提升和超过90%的单元密度。据英特尔介绍，PowerVia不仅减少了制造成本和工序复杂度，还有效提升了良率，为大规模量产奠定了基础。

对于英特尔而言，背面供电技术的引入不仅是技术创新的体现，也是其与RibbonFET晶体管共同推动半导体产业进步的关键一步。未来，随着Arrow Lake处理器的发布，英特尔将进一步验证和完善这一技术在实际产品中的表现。

台积电在最新的技术研讨会上宣布，其GAAFET技术将从N2节点开始量产，预计2025年下半年推出。然而，令人意外的是，台积电决定将背面供电技术的应用推迟至A16节点，即2026年底之后。

尽管如此，台积电的决定暂时将背面供电技术推迟，可能与成本效益、技术成熟度及量产准备等因素相关。未来，随着半导体市场的发展，台积电如何在性能、良率和产量上继续保持领先地位，仍值得关注。

综上所述，GAA和背面供电技术正在成为晶圆厂新一轮创新的核心竞争力，未来将会为全球半导体产业带来新的增长点和机遇。