三星半导体设备子公司SEMES近日宣布,已经开始研发和量产新一代用于HBM芯片的热压键合装置。这款SEMES TC Bonder采用了先进的硅通电极技术,可以高精度地将多个半导体芯片垂直堆叠在晶圆上,形成所需的三维结构,从而实现HBM技术。
与过去装置相比,新一代SEMES TC Bonder采用了优化后的结构,能够更好地适应HBM芯片微型化带来的机械特征变化。它通过对准、热量和压力的精确控制,即使在高负荷条件下也能保证堆叠层之间的高精度对齐。SEMES表示,该设备采用针对HBM优化的热压键合流程和非导电绝缘膜材料,大幅提高了产能。
SEMES指出,HBM芯片已广泛应用于人工智能和大数据处理领域,是推动这些前沿技术发展的关键。为了满足未来HBM技术的需要,公司还在研发混合结构的新一代键合设备,旨在实现更高精细度下的三维集成。SEMES将继续致力于为HBM及后续技术提供最先进的生产工艺和设备支持,与三星共同引领人工智能芯片时代的来临。
