两家国内企业/团队近日宣布取得了硅碳化物（SiC）领域的新突破，涉及到8吋复合衬底和无损抛光装备等方面。
青禾晶圆成功突破了8吋SiC键合衬底的制备，这一进展有望加速8吋SiC衬底的量产进程，为行业客户提供更具竞争力的价格。该公司成立于2020年，致力于提高碳化硅的生产效率和降低成本，其在复合SiC衬底生产线建设方面也取得了显著进展。
另一方面，苏州大学的超精密抛光团队推出了国内首台电化学机械抛光（ECMP）装备，该装备能够帮助实现对SiC和GaN的高效无损抛光。通过将电场引入传统的化学机械抛光工艺中，他们成功实现了第三代半导体材料的纳米级加工标准，并提高了抛光加工的效率和磨料利用率，同时降低了抛光液的成本。
这些技术突破对于半导体行业的发展具有重要意义，有望推动SiC材料在电子、光电和能源等领域的应用。同时，这也体现了我国在半导体领域不断取得的科研成果和技术创新能力的提升。
