华为加强SiC领域布局,提交晶体生长专利申请
来源:ictimes 发布时间:2024-04-11 分享至微信
华为技术有限公司最近公开了一项关于SiC晶体技术的专利,显示了其在碳化硅领域的技术实力和创新能力。该专利涉及到挡板、芯片、SiC晶体、晶体生长炉和生长方法,通过改变气相源的运动方向,有效提高了晶体的生长速度和质量,降低了微管密度。这一举措表明,华为正在全面布局SiC产业,并将其技术优势转化为产品和合作机会。
华为的SiC技术在智能电动汽车领域表现出了巨大的潜力。其DriveONE新一代超融合黄金动力平台采用了高效SiC技术,为汽车提供了更高效的动力输出和更快的充电速度,大大提升了车辆的性能和续航能力。同时,华为还与奇瑞合作,搭载了SiC动力平台的智界S7电动汽车,进一步展示了其在汽车行业的合作和影响力。
此外,华为在SiC产业链上的投资也十分广泛,涵盖了衬底、外延、设备和材料等多个方面。这表明华为在SiC领域的战略布局和长远规划,为其在未来的发展奠定了坚实基础。
综上所述,华为在SiC技术领域的持续投入和创新,将为智能电动汽车等领域的发展带来新的机遇和推动力。作为SiC产业链上的重要参与者,华为有望在未来发挥更加重要的作用,推动产业的持续发展和进步。
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