美光公司在2024年2月成功量产最新高频宽存储器HBM3E后，近日宣布获得英伟达H200 AI GPU订单，这一消息令竞争对手三星电子和SK海力士震惊。据悉，英伟达即将推出的H200处理器将采用美光的HBM3E芯片，比之前的HBM3芯片更加强大。

美光之所以能够赢得这一订单，得益于其采用的1b纳米技术，与SK海力士相当，领先于三星的1a纳米技术。此外，美光HBM3E芯片在性能、节能效率和无缝扩充性等方面表现出色，引脚速度超过9.2 Gb/s，存储器频宽超过1.2 TB/s，功耗比竞品减少30％，拥有24GB容量，能够满足AI应用对快速存取、低功耗和大规模扩充的需求。

美光此次赢得英伟达订单，不仅展示了其在高频宽存储器领域的实力，也为公司在全球半导体市场中的竞争地位奠定了坚实基础。