在未来两年，微控制器（MCU）市场将迎来一场存储技术的革命，为车规市场注入新动力。英飞凌、瑞萨和意法半导体分别推出RRAM、MRAM/STT-MRAM和PCM等三大新型存储技术，为MCU制程技术带来全新变革。
传统的嵌入式闪存（eFlash）在MCU中面临制程受限、存储容量不足和寿命短等问题，限制了MCU的性能和应用。为解决这些问题，MCU制造商积极探索新型存储器，为MCU制程迈向28nm以下提供可能性。
其中，RRAM（阻变存储）由英飞凌引领，具有高抗干扰性和逐位写入等优势，为MCU提供了更大的性能提升和成本节约。
瑞萨和恩智浦主推的MRAM/STT-MRAM（磁性存储器）在22nm工艺制造下，实现了超过200MHz的随机读取访问频率和10.4 MB/s的写入吞吐量，为汽车MCU带来更高的数据存储容量和可靠性。
而意法半导体则以PCM（相变存储器）为主导，其Stellar P6车规MCU采用高能效28nm FD-SOI技术，具有20 MB的相变存储器，解决了闪存不适宜现有需求的问题，提供更快的访存速度。
这三种新型存储技术各有千秋，RRAM在存储密度和性能上领先，MRAM则以低功耗和可靠性为优势，而PCM则在低延时、功耗平衡方面表现卓越。未来两年，MCU市场将迎来全面变革，为车规市场带来更先进、高效的存储解决方案，推动整个行业向前发展。
