在半导体自给自足的计划下，国内存储器产业面临美国管制规范的挑战。长鑫存储和长江存储作为领军企业，采取了不同的策略。长鑫存储避开管制，推动18.5纳米制程量产，并计划大幅提高国产设备使用率，以扩大产能。长江存储则坚持自主研发，尽管面临关键设备进口的阻挠，仍规划3D NAND堆叠制程至300层以上。

长鑫存储的合肥一厂接近满产，北京厂逐步放量，2024年资本支出将大幅成长。长江存储的扩产计划因美国管制而受阻，但仍在推进内部研发，未来将延续以国内名山为命名代号的传统。两家企业的不同策略显示了国内存储器产业的多样性和创新力，在应对外部挑战的同时，努力实现自给自足的目标。