国内存储器产业:长鑫与长江存储的独特策略
来源:ictimes 发布时间:2024-01-23
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在当前的国际政治和经济环境下,国内存储器产业面临着前所未有的挑战和机遇。长鑫存储和长江存储作为行业的两大巨头,各自采取了独特的策略来应对这一局面。
长鑫存储选择了一条相对稳健的发展道路。面对美国管制规范的压力,长鑫存储决定将制程技术定在18.5纳米,以此规避美国商务部对18纳米以下技术的限制。这一策略不仅确保了公司的技术合规性,也有助于提高国产设备的使用率,推动国内产业链的发展。
与此同时,长鑫存储正积极推动合肥二期新厂的扩产计划。通过逐步提升产能,长鑫存储旨在满足不断增长的市场需求,并进一步提升在全球DRAM市场的地位。
与长鑫存储不同,长江存储选择了自主研发的路径。尽管面临关键设备进口的阻挠和上游材料、设备产能的国产化挑战,长江存储坚定地推进3D NAND堆叠技术的自主研发。公司规划的蓝图已经将堆叠层数提升至300层以上,显示出强大的技术实力和雄心壮志。
尽管自主研发的道路上充满了挑战,但长江存储并未放弃。公司后续还将推出更多以名山命名的系列,包括已推出的232层武当山系列,以及规划中的三清山、太行山等系列。这些产品不仅代表了长江存储自主研发的成果,也彰显了公司在全球存储器市场的竞争力和影响力。
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