232层!长江存储成功提升NAND芯片密度
来源:ictimes 发布时间:2023-11-10
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icspec消息,尽管受到了严密的制裁,但长江存储仍然成功推出了先进的232层QLC 3D NAND芯片。
在2022年8月举行的FMS闪存峰会上,长江存储展示了232层TLC NAND芯片(X3-9070 TLC)。
美国芯片法案试图阻止美国供应商向中国输出一些技术,以防止像长江存储这样的公司制造128层或更高的3D NAND,但目前看来并没有太大的效果。
加拿大芯片分析公司TechInsights宣称,这是他们见过的首款有效字线数超过200条的QLC 3D NAND芯片。该芯片的位密度为19.8 Gb每平方毫米,是目前商用固态硬盘中最高的密度。
目前,铠侠和西数的3D NAND层数为218层,三星为236层,SK海力士为238层,美光为232层,业界的大厂都已进入到200层的时代。
TechInsights表示:“就像华为Mate 60 Pro手机使用的海思麒麟9000s处理器(采用中芯国际7纳米(N+2)工艺)所揭示的创新一样,越来越多的证据表明,中国正在突破出口限制,成功建立自己的国内半导体供应链。”
如果TechInsights的观点是正确的,那么长江存储可以被视为3D NAND制造领域中一个不可忽视的力量。
去年12月,TrendForce曾表示,由于美国的限制,长江存储可能会退出NAND市场。
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