近日，三安光电宣布，其子公司湖南三安在碳化硅产品研发方面取得了重大进展，成功实现了8英寸碳化硅衬底的量产。这一突破标志着三安光电在碳化硅领域具备了更强的竞争力，并且将对公司未来的发展产生积极影响。

湖南三安一直以来致力于大尺寸碳化硅衬底的开发，如今终于取得了突破性进展。该公司采用自主PVT工艺，精准控制热场，实现了更低成本及更低缺陷密度的生产。目前，8英寸碳化硅衬底已经进入小批量生产及送样阶段，良率提升和设备调试、工艺优化等工作正在不断推进。

此外，湖南三安还与意法半导体合作，在重庆设立了三安意法半导体（重庆）有限公司，专门生产8英寸碳化硅晶圆。该项目的各项工作正在有序推进，预计2025年完成阶段性建设并投产，2028年实现达产。这一合作将进一步增强三安光电在碳化硅领域的实力和竞争力。

三安光电在碳化硅MOSFET方面也取得了显著成果。该公司推出了650V-1700V宽电压范围的SiC MOSFET产品，这些产品具有高性能、高一致性和高可靠性等优点。其中，1700V/1000mΩ MOSFET主要应用于光伏逆变器的辅助电源，1200V/75mΩ MOSFET则主要应用于新能源汽车的OBC。这两款产品均已进入客户端导入阶段，并将逐步实现批量供货。另外，1200V /16mΩ车规级芯片已在战略客户处进行模块验证。

这些成果展示了三安光电在碳化硅领域的实力和前瞻布局。随着新能源汽车、光伏等领域的快速发展，碳化硅器件的需求也将持续增长。三安光电在这个领域的持续投入和创新，将有望为其未来的发展打开新的增长空间。同时，这些新产品也将进一步推动新能源汽车、光伏等领域的技术进步和发展。