尽管存储器市况不佳，但国内DRAM指标厂商长鑫存储向美国官方坦承制程技术未达18纳米后，2023年可望如愿扩充19纳米第三代（原称17纳米）制程，不仅获得大基金投资支持，近期也传出将透过IPO募资，启动先前受到延迟的扩充计划。

另一方面，SK海力士（SK Hynix）提高无锡厂的21nm旧制程产能，引发市场一度倒货DDR3，台系存储器业者原酝酿调涨价格的如意算盘面临落空。

美国在2022年全面管制国内半导体发展，包括限制国内采购18纳米以下的DRAM先进制程设备，外界预期长鑫存储将首当其冲，不过事后传出长鑫存储向美国商务部申请特别出口许可，并坦承其号称17纳米制程并未符合实际水准，相当于其他DRAM大厂19~20纳米制程，获得美国官方许可放行。

尽管日前美光遭到国内禁止采购的反制，引发美国政界一度扬言报复长鑫存储，不过业界认为，虽然中美科技战的僵持局面在短期内难以破冰，但若报复手段过猛，恐将导致战略竞争失控。

尤其中美近期即将展开外交会谈，在长鑫存储的技术制程仍然明显落后情况下，美方应不愿因小失大，误把焦点置放于国内DRAM产业竞争。

随着DRAM价格下滑趋势进入底部盘整，利基型DRAM已有部分应用需求逐渐回温，业界透露，过去合肥长鑫陆续宣布过19纳米、17纳米等制程，如今在美方限制下，17纳米「正名」为19纳米第三代产品，虽然获准可以继续量产，但美国设备业者出货并未恢复如常，因而传出计划将采购更多国内半导体制造设备，全年资本支出也加码50亿美元以上。

由于长鑫存储先前遭到禁止，导致扩充进度延迟，经过数个月来积极争取的峰回路转，新19纳米制程将成为未来扩产重点。

但台厂认为，由于美方禁令仍有许多灰色地带，未来仍将局限于国内内需市场，尤其是供应国内手机品牌的移动存储器产品，故LPDDR4原本就是长鑫存储的主力产品，虽然目前DDR3市场需求并不好，不过在新产线投入后，预计DDR3 4Gb产量也可望随之增加，但与台厂直接正面对决的影响，可望将在不同区域市场布局而降低冲击。

另一方面，受到美国商务部管制半导体设备进口冲击，SK海力士在担忧地缘政治风险升高，针对无锡厂制程进行调整，预计将提升21nm产线比重，该制程主要产品将以DDR3、DDR4 4Gb等。

市场传出，在美光受到国内采购限制后，台厂本来有意趁势调涨价格，但正逢SK海力士转换产线，导致现货市场人心浮动，DDR3倒货乱流四起，影响近期DDR3价格持续低迷不振。

对于SK海力士无锡厂改增产DDR3，台厂私下指出，韩系大厂终究会要朝向主流产线升级，等到景气复原，产能仍将转移至DDR4的长期规划，但对于利基型存储器客户而言，更重视长期稳定的供应承诺，不少客户也担心目前增产只是短期策略调整，对于能成为长期供应夥伴仍抱有疑虑。

存储器模块业者认为，目前DDR4主流产品的价格尚未到底，但DDR3的产能供给相对有限，工控客户对库存水位的要求较高，虽然先前仍有价格波动，但预期DDR3的价格已进入底部阶段，不过存储器供应商的库存很高，因此价格仍很难拉动调涨。

存储器IC业者钰创指出，2023年上半的存储器市况可望落底，个别应用需求开始有提升，开始出现拉货补货的动作，预期2023年将处在库存去化的状态下，但预估在去化完成后，2024年将可望回到赚钱获利的景象。

来源：digitimes