SAC(Self-Aligned Contact)工艺的详细介绍
来源:半导体设备资讯站 发布时间:2023-05-21 分享至微信

Intel 22nm工艺中关于contact连线有个细节工艺叫SAC全称叫self-aligned contact中文翻译叫自对准接触有读者后台留言想了解具体细节这篇文章详细介绍下SAC工艺

简单来说说SAC工艺就是在栅极gate上方添加一层保护性介电层目的是防止源漏极的contact与栅极gate短路主要原因是当时contact的pitch越来越小source/drain contact很容易发生偏移造成与gate短路最终导致low yield

Intel在其22nm FinFET工艺中首先推出SAC flow主要是添加了三个步骤具体流程如下

Intel标准工艺形成metal gate

metal gate向下凹陷

向下凹陷的区域中填充氮化硅etch stop layer然后CMP磨平

然后覆盖一层氧化硅

最后进行contact patterning

最主要差异就是在metal gate的上面添加一层氮化硅和氧化硅这样即使source/drain的contact overlaid on metal gate上由于氮化硅介电质存在也不至于短路这样就大大提高了misalignment margin

上面的二维图可能不好理解这里要说明的是Gate上也有contact但是和source/drain的contact不在同一水平面位置所以source/drain的contact发生偏移即使和gate接触了只要没有和gate下面的金属接触都没有关系不影响正常连线

如果没有SAC flowIntle 22nm制程中contact misalignment margin只有+-5nm10nm左右的misalignment就会造成20%左右的yield loss但是增加了SAC flow以后gate 到 contact的shift margin可以达到25nm良率显著提高

现在看来SAC flow很简单只不过了增加几步process但是这在当年很有创造性而且效果非常明显大大提高了良率不得不说intel的工程师还是非常厉害的



作者:greatao

来源:雪球


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