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这款突破性创新 11kW/800V 氮化镓车载充电器设计，结合无桥图腾柱功率因子校正 (PFC) 结构的三阶飞跨电容 (flying capacitor) 拓朴，及双主动桥式 AC/DC 和 DC/DC 转换器，在功率密度及总物料成本上与市场做出区隔。三阶飞跨电容拓朴中所采用的氮化镓晶体管能达到优异的切换频率，有效减低一半电压压力，使 650V GaN 晶体管也能应用于这款或其他 800V 电源系统中。

GaN Systems 800V 氮化镓车载充电器特点：

●功率密度较 SiC 高出 36%

●AC/DC 阶段最高转换效率 >99%；DC/DC 阶段最高转换效率 >98%

●较小总功率耗损

●极低闸极振铃现象

●采用金属绝缘基板 (IMS) 设计优化热性能

GaN 功率半导体大幅降低开关功率耗损与耗散，进而提升车载充电器的转换效率，不仅有助提升电动车充电效率，并兼具成本效益。GaN 极低开关损耗可简化所需被动组件的数量与散热系统设计，缩减车载充电器整体尺寸及重量。

“GaN 功率半导体在车用领域的应用版图正在快速扩张，为市场带来更有效率、更经济且更低碳的解决方案，”GaN Systems 全球执行长 Jim Witham 表示，“这款 800V 氮化镓车载充电器便是一个绝佳案例，我们在系统尺寸、功率密度、成本效益、能源效率、热性能及碳足迹等各方面的优化， 将为车用领域客户带来改变竞局的解决方案。”

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