nference on Silicon Carbide and Related Materials）是以碳化硅为代表的宽禁带半导体以及相关材料、器件的产业与学术并重的高水平国际论坛。9月16日，ICSCRM 2022在瑞士达沃斯圆满落幕，天岳先进参加会议并就8英寸碳化硅衬底最新研发情况作出汇报。
（晶型拉曼图谱检测报告）
衬底直径是衡量晶体制备水平的重要指标之一，天岳先进较早布局了8英寸产品的研发，是国内最早研发和布局产业化的企业之一。目前公司8英寸碳化硅衬底研发进展顺利，晶型均一稳定，具有良好的结晶质量。
有别于单晶硅等材料在生长过程中可以扩径的特点，碳化硅衬底材料的扩径需要先制备大尺寸籽晶，并且需要对缺陷和应力分布等进行严格控制。天岳先进从籽晶入手，在粉料合成、热场设计、工艺固化、过程控制、加工检测等全流程实现技术自主可控。
公司持续加大8英寸导电型衬底产业化突破。在前期自主扩径实现8英寸产品研发成功的基础上，将继续加大技术和工艺突破，并根据市场需求，积极布局产业化。
（来源：天岳先进）
（来源：天岳先进）
