
相较于三星电子(Samsung Electronics)日前澄清将继续开发1b纳米(12纳米)时代DRAM,按照原定时程量产,摆脱外媒传出三星有意跳过1b、直攻1c纳米(11纳米)DRAM开发的传闻。
然而,早已超前三星约1年量产1a(14纳米)的美光(Micron),日前证实1β DRAM可望在2022年底前量产,进入良率提升(yield ramp)阶段,目标锁定2023年起商业化放量生产。
三星不愿提出究竟1b纳米DRAM何时导入量产,但根据半导体研究机构The Information Network估计,与美光2022年第4季开始量产相较,估计三星与SK海力士(SK Hynix)最快也要等到2023年第2季才会投产1b纳米,落后时间约有半年,且届时是否能放量(ramp up),仍有变量。
美光日前年度法说会,除了强调1α纳米DRAM目前已经顺利放量,同时揭露1β纳米最新推进外,也更新DRAM制程产品蓝图,在原先1γ (gamma)纳米、1δ (delta)纳米时代以外,在平面DRAM制程节点再加入1ε (epsilon)纳米时代,推进10纳米以下。
DRAM产业在20纳米时代以下,业者透过1x、1y、1z、1a、1b、1c(美光在后三者为1α、1β、1γ)等命名,约略指涉14纳米、12~13纳米、11纳米等DRAM时代,不同于韩厂仍以拉丁字母abc命名,美光采用希腊字母α、β、γ 、δ、ε 指涉。美光技术产品资深副总Scott DeBoer指出,与竞争对手很早就导入EUV曝光机台不同的是,美光稳健导入DUV多重曝光等技术,完善1α纳米DRAM放量与1β纳米时代量产推进,预计要到2024年投产1γ纳米DRAM时,才会导入EUV曝光制程。
美光1α纳米DRAM从2021年第1季量产以来,不仅居DRAM产业领先地位,凭藉在DUV多重曝光的娴熟掌握,1α纳米DRAM相较前一时代节点,快了5个月达到成熟良率开出(mature yield),并未因快速推进1α纳米量产的同时,牺牲DRAM产业最重视的良率。
DeBoer表示,目前1γ纳米DRAM时代业已进入yield enablement阶段,正在启动、逐步改善良率中。接下来的1δ纳米时代,目前还在结构发展阶段(structural development),至于新加入蓝图的1ε纳米时代,则还在开发探索阶段。美光强调,预期等到顺利出货1ε纳米DRAM芯片后,才会考虑是否有必要转入3D DRAM取向,尽管美光仍持续探索3D DRAM技术,但如EUV曝光导入一般,必须是在最适合美光的时间采用。
报导指出,虽说美光导入EUV曝光制程比三星、SK海力士晚了4~5年,但美光强调,尽管三星、SK海力士先后在2019年与2020年导入EUV曝光投产1z纳米(15纳米)DRAM,但美光从技术上与成本考量上,决定要沿用DUV多重曝光直至1β纳米时代,并早从2018年起即着手研究评估何时导入EUV系统。如今美光好整以暇将在2022年底前量产1β纳米DRAM,更强调目前已达yield ramp,意味着距离成熟良率放量生产(ramp up)不远。
反倒是三星于2021年底姗姗来迟宣布量产14纳米制程DRAM,至今12纳米开发虽表态将继续推进、不会跳过1b、直攻1c纳米DRAM。虽说以三星庞大的市占率与集团垂直整合优势,落后美光1β纳米DRAM领先量产,在获利方面未必有立即减损。只是眼看美光近年来屡屡在DRAM先进制程夺胜,何尝不是三星引以为傲的存储器霸业的警讯?
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