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UFS4.0的时代，宣告到来？

来源:半导体行业观察发布时间:2022-05-05

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近日，三星电子宣布开发其通用闪存 (UFS) 4.0 解决方案，这是首款符合最近批准的下一代移动和计算系统 JEDEC 存储标准的 UFS 4.0 产品。

据介绍，三星 UFS 4.0 将提供每通道高达 23.2 千兆位每秒 (Gbps) 的速度。这是之前领先的 UFS 解决方案 (UFS 3.1) 的两倍。这将使UFS 4.0非常适合需要大量数据处理的5G智能手机，例如高分辨率图像和大容量手机游戏，以及汽车和AR/VR应用。

凭借三星第 7 代 V-NAND 和专有控制器，新开发的三星 UFS 4.0 将具有 4,200 兆字节每秒 (MB/s) 的顺序读取速度和 2,800 MB/s 的顺序写入速度，将提供大约速度分别比之前的 UFS 3.1 产品快 2 倍和 1.6 倍。

电源效率也得到了显着提高。三星的新 UFS 4.0 将提供高达每毫安 (mA) 6.0 MB/s 的顺序读取速度，比 UFS 3.1 提高了 46%。这将允许智能手机在相同的电池容量下使用更长时间。

三星 UFS 4.0 将包括一个先进的重放保护内存块 (RPMB)。这种设计在存储重要个人数据方面的效率提高了 1.8 倍，这些数据只能通过经过身份验证的访问来读取或写入。

这款最新的移动存储解决方案体积极小，最大尺寸为 11mm x 13mm x 1mm。

UFS是什么？

UFS或Universal Flash Storage是一种较新的闪存规范，旨在取代较慢的eMMC(嵌入式多媒体卡)标准。它由JEDEC设计，于2011年首次推出。

UFS配备了LVDS (Low Voltage Differential Signalling)串行接口，用于数据传输。这允许同时执行读取和写入操作。除了支持SCSI Tagged Command Queuing外，UFS还可以同时处理多个命令，并在必要时对任务进行重新排序。

UFS 3.1带来了从标准SATA和NVMe SSD到移动设备的更多升级。例如，Write Booster保留少量容量，并将MLC/TLC/QLC视为SLC NAND记忆体。Pseudo-SLC将充当更高写入速度的缓存。HPB(Host Performance Booster)利用机载系统DRAM来储存translation table或Logical to Physical (LTP) address map，以提高随机性能。

尽管性能较差，但目前eMMC仍然是智能手机，平板电脑和笔记本电脑更便宜，更受欢迎的选择。但是，自2015年推出eMMC 5.1以来，已没有对其进行重大改进。