反击美光 联电在中国提告侵权

晶圆代工大厂联华电子(United Microelectronics Corp.;UMC)表示，就美光科技(Micron Technology)在中国的子公司提起专利侵权诉讼。该反诉的时间就发生在美光于美国对联电提起诉讼之后近一个月。

随着中国寻求建立国内半导体产业以抵制每年数十亿美元的晶片进口，美国和中国之间在记忆体领域的法律衝突已注定难以避免;中国的目标是要从由叁星(Samsung)、海力士(SK Hynix)和美光主导的记忆体晶片业务市场上抢夺市佔率。

联电一直致力于在中国这个全球最大、发展最快的半导体市场扩展其业务。除了在中国经营代工厂外，该公司还向当地的多家公司授权记忆体技术。

联电在上週五的新闻发佈中表示，「联电在进行深入研究后发现，美光在中国大陆销售的产品确实侵犯了该公司的专利权，因而寻求专利侵权诉讼以获得公正的判决。」

去年12月4日，美光根据《保护营业秘密法》(Defend Trade Secrets Act) 和《反勒索及受贿组织法》(Racketeer Influenced and Corrupt Organization Act)向北加州联邦法院提起民事诉讼，指控联电和中国福建晋华积体电路公司(JHICC)盗窃其商业秘密和其他不当行为。

晋华积体电路公司已从联电转让技术，并在当地投资56.5亿美元兴建一家晶圆厂进行记忆体晶片生产。据该公司网站介绍，晋华积体电路公司是中国「十叁五」(13th Five-Year-Plan)重要製造业佈局的一部份。

这一切都是在中国巨大的记忆体业务背景下发生的。大约一年前，中国在武汉市宣佈了一个240亿美元的记忆体专案。长江存储(Yangtze River Storage Technology;YRST)成为该专案的主导者，其目标是打造3D NAND晶圆製造厂。该厂的背后投资者是中国政府支持的清华紫光集团(Tsinghua Unigroup)。此外，清华紫光在南京还有另外一个DRAM和3D NAND计划。这两项计划的总投资超过540亿美元。

联电的反诉

联电表示已于福州市中级人民法院对美光半导体(西安)公司和美光半导体(上海)公司提起诉讼。这起诉讼涉及涉嫌侵犯联电在中国的叁项专利权，包括与DDR4、固态硬碟(SSD)和绘图卡所使用的记忆体相关应用。

在诉状中，联电已经要求法院命令被告停止生产、加工、进口、销售和打算销售涉嫌侵权的产品，销毁所有库存和相关的模具和工具，并要求美光赔偿联电总金额约2.7亿元人民币(4,180万美元)的损失。