武汉解封、产能100%恢复，长江存储今年将推出128层3D NAND

武汉因疫情影响封城长达 76 天后，于昨日正式解禁。位于武汉的国家存储器基地长江存储的动态进展以及受疫情影响情况受到业内的高度关注。

疫情爆发之前，长江存储正以全球最闪亮的“存储生力军”之姿，加入全球 3D NAND 存储芯片供应之列，包括三星、SK 海力士、美光等企业，都紧紧盯着长江存储的每一个举动。

回顾长江存储发展历程，长江存储成立于 2016 年 7 月，肩负国家存储器芯片生产重任，负责 3D NAND 闪存设计制造一体化。2017 年 10 月，长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了中国首款 3D NAND 闪存；2019 年 9 月，搭载长江存储自主创新 Xtacking 架构的 64 层 TLC 3D NAND 闪存正式量产。同时表示，长江存储接下来的第三代产品将跳过 96 层，直接投入 128 层闪存的研发和量产工作。

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武汉解封，长江存储目前已实现全员复工，正抓紧追赶研发进度。针对长江存储最先进 128 层 3D NAND 技术的研发进度，长江存储 CEO 杨士宁表示，研发进度在短期确实会有所波及。不过，目前长江存储已实现全员复工，各项进度正在抓紧追赶，从中长期来看，这次疫情并不会影响总体进度。同时，128 层技术会按计划在 2020 年推出。

2020 年，全球闪存行业将集体奔向 100+层，比如 SK 海力士已出货 128 层并将在年底做到 176 层，三星有 128 层、136 层，西数、铠侠(原东芝存储)都是 112 层但存储密度更高，美光 128 层，Intel 则会做成 144 层。

除了在堆叠层数上追赶世界先进水品，长江存储自主研发的 Xtacking 堆栈架构也正在推进 2.0 版本，会重点拓展性能、功能，也是直接上 128 层堆叠的重要保障。如果计划可以按期实现的话，明年国内 3D NAND 技术将跻身国际大厂之中。

就全球存储产业的情况来看，今年将是 100+层 3D NAND 技术的爆发之年，现在三星电子、东芝等主流半导体厂商都已经开始热身，相信各大厂商的竞争也将更为激烈。