三安光电长沙第三代半导体项目开工，总投160亿元建设碳化硅、外延等生产基地

长沙三安第三代半导体项目开工活动 7 月 20 在长沙高新区举行。湖南省委常委、长沙市委书记胡衡华宣布开工。长沙市委副书记、市长、湖南湘江新区党工委书记郑建新，三安集团董事长林秀成等出席。

第三代半导体是碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体。第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点，可以满足现代电子技术对高温、高功率、 高压、高频以及高辐射等恶劣条件的新要求，相比 Si 基半导体可以降低 50%以上的能量损失，最高可以使装备体积减小 75%以上。

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碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)作为第三代半导体成熟商用材料的典型代表，已成为能源高效率、高频率新型电力电子芯片的重点新材料，在新能源汽车、5G、智能电网、高速轨道交通、半导体照明、消费类电子、航天等领域具有重要的应用价值。

三安光电成立于 1993 年，1996 年上市，主要从事化合物半导体材料的研发与应用，以砷化镓、氮化镓、碳化硅、磷化铟、氮化铝、蓝宝石等半导体新材料所涉及的外延片、芯片产业为核心主业，产品主要应用于照明、显示、背光、农业、医疗、微波射频、激光通讯、功率器件、光通讯、感应传感等领域。