三星加快芯片制程工艺研发，3纳米制程或2022年量产

据彭博报导，三星全力发展晶圆代工业务，规划投入 1,160 亿美元，目标 3 纳米制程 2022 年量产，与台积电同步，是两强近年先进制程竞逐赛中，最接近的一次。业界关注，若三星发展 3 纳米进程顺利并提升良率，与台积电的抢单大战也将随之引爆。

对于相关报导，台积电昨（17）日表示，不评论竞争对手。不过，在技术上，先前台积电已设定的技术蓝图，目前计划并未改变。

在半导体晶圆代工上，台积电一家独大，从 10nm 之后开始遥遥领先，然而三星的追赶一刻也没放松，今年三星也量产了 5nm EUV 工艺。三星计划在 2 年内追上台积电，2022 年将量产 3nm 工艺。

台积电因先进制程领先，独揽苹果处理器代工大单，并囊括高通、联发科、超微、辉达等大厂高端芯片订单，三星虽然努力追赶，但在高端制程订单斩获仍有限。

业界人士指出，三星集团近期动作频频，除了上周甫发表采用自家 5 纳米制程生产的 5G 芯片，本周又积极宣传 3 纳米技术蓝图，公司密集发布消息，宣示性意味浓厚。

台积电在 7 纳米与 5 纳米顺利量产至逐步放量都领先三星约两年。台积电先进制程量产计划早已底定，在持续扩展 5 纳米制程基础上，推出增强版的 4 纳米制程，预订 2021 年第 4 季风险试产，2022 年投入量产。同时也着手 3 纳米研发，目标 2021 年试产，2022 年下半年量产。

台积电总裁魏哲家在今年 10 月法说会上提到，台积电 3 纳米制程采用 FinFET（鳍式场效电晶体）架构，以提供客户最成熟、同时效能和成本最佳的技术选项，看好 3 纳米制程推出后，将具备最佳的 PPA（效能、功耗及面积），并为最先进的制程技术。

彭博报导，三星晶圆代工部门高层主管在一场未对外公开的活动上，对出席者表示，三星将在 2022 年量产 3 纳米芯片。

从 2019 年开始，三星启动了一个“半导体 2030 计划”，希望在 2030 年之前投资 133 万亿韩元，约合 1160 亿美元称为全球最大的半导体公司，其中先进逻辑工艺是重点之一，目标就是要追赶上台积电。

在最近的几代工艺上，三星的量产进度都落后于台积电，包括 10nm、7nm 及 5nm，不过 5nm 算是缩短了差距，今年也量产了，此前也获得了高通、NVIDIA、IBM 等客户的 8nm、7nm 订单。

三星这个先前未曾曝光的目标，代表在台积电预期将于 2021 年试产 3 纳米、2022 年投入量产之际，三星也努力开始要撼动晶圆代工产业，希望能争取到与台积电一样，在 2022 年量产 3 纳米，若成局，将是三星与台积电近年先进制程竞逐赛当中，双方最接近的一次。

彭博报导，三星电子晶圆代工设计部门执行副总裁朴在弘（音译）当时说，三星正与重要合作伙伴开发初始设计工具。如果三星成功，对于该公司的远大目标将是一大突破。三星期望借由采用环绕闸极技术（Gate-All-Around；GAA）来精进制程，该技术和台积电 3 纳米采用 FinFET 不同。

南韩仁荷大学材料科学与工程教授崔林诺（音译）表示：“三星非常迅速地追赶台积电，并且寻求借由首度采用新技术来迈向主导地位。然而，如果三星无法在初期阶段快速改善先进节点的生产良率，可能会亏钱。”