SK海力士计划明年量产超高速DRAM，可用于AI和超算

SK海力士于8月12日宣布开发出HBM2EDRAM，这是一种高带宽内存半导体，可用于人工智能(AI)设备和超级计算机。

该公司表示，其新芯片具有业界最快的速度。HBM2E支持超过每秒460GB的带宽，基于每个引脚的3.6Gbps速度性能和1,024个数据I/O，这比该公司一年前开发的HBM2DRAM高出50%。

在2013年12月底的时候，SK海力士开发出了世界首个以四段堆积DRAM的HBM(高带宽内存)。

据了解，SK海力士通过使用“穿硅通孔”(TSV)技术垂直堆叠8个16Gb芯片，开发出16GB存储器封装。SK海力士将于2020年开始批量生产新芯片。新的存储器产品主要用于需要高速、高性能存储器的图形卡，超级计算机，AI和服务器。

SK海力士计划凭借HBM2EDRAM在下一代存储器半导体市场中处于领先地位。其第二季度的DRAM销售额为42.6亿美元，占全球市场的28.7%。

“自2013年发布全球首款HBMDRAM以来，SK海力士一直以技术竞争力为主导市场，”负责该公司HBM业务战略的JeonJun-hyun表示，“明年我们将开始批量生产HBM2E，将继续加强我们在市场上的技术优势。”