SK海力士最新3D NAND和DRAM趋势解读

DRAM（动态随机存储器）的合约价格在今年上半年将上涨，预计会持续到三季度，在四季度开始调整。

近日，SK海力士对DRAM和3D NAND的未来做出了预测。

SK海力士认为，通过将层数增加到600层以上，可以继续提高3D NAND的容量。此外，该公司有信心借助极紫外（EUV）光刻技术将DRAM技术扩展到10nm以下，以及将内存和逻辑芯片整合到同一个设备中，以应对不断增加的工作负载。

SK海力士首席执行官李锡熙说：“我们正在改进DRAM和NAND各个领域的技术发展所需的材料和设计结构，并逐步解决可靠性问题。如果以此为基础，并取得创新，将来有可能实现10nm以下的DRAM工艺和堆叠600层以上的NAND。”
 

历史的经验早已证明，3D NAND无论是在性能还是在可拓展方面，都是一种非常高效的体系结构，因此，SK海力士将在未来几年继续使用它。早在2020年12月，SK海力士就推出了具有1.6Gbps接口的176层3D NAND存储器，且已经开始和SSD控制器制造商一起开发512GB的176层存储芯片，预计在2022年会基于新型3D NAND存储器进行驱动。

就在几年前，该公司认为可以将3D NAND扩展到500层左右，但是现在它已经有信心可以在不久的将来将其扩展到600层以上。随着层数的增加，SK海力士以及其他3D NAND生产商不得不让每一层变得更薄，NAND单元更小，并引入新的电介质材料来保持均匀电荷，从而保持可靠性。

SK海力士已经是原子层沉积领域的领导者之一，因此其下一个目标是实现高深宽比（A/R）接触（HARC）刻蚀技术。同样，对于600层以上的3D NAND，可能还需要学会如何将多层晶圆堆叠起来。

行业何时才能有600层以上的3D NAND设备以及如此惊人的层数将带来的多大的容量，SK海力士没有给出具体预测，不过该公司仅凭借176层技术就已经着眼于1TB的产品，因此600层以上的产品容量将是巨大的。

根据SK海力士方面的说法，未来DRAM产品的制造工艺会逐步推进到10nm及以下工艺。

此前，SK 海力士宣布，为应对市场需求回升，该公司将扩充产能规模，其新建的位于首尔南部利川市（Icheon）的M16 产线预计今年6月启动量产，以进一步扩大DRAM供应。

资料显示，2018年12月，SK海力士开始动工兴建M16晶圆厂，斥资高达15兆韩圜（约134亿美元），将采用极紫外光（EUV）光刻技术，生产第四代10nm级制程（ 1a奈米）的DRAM产品。

对于10nm以下DRAM目前还没看到相关动态。