存储器厂砍支出 挽救价格跌势

根据市调机构ICInsights报告，由于存储器产业在2017∼2018年间大举投资扩产，随着产能大量开出，导致存储器市场近一年来供给过剩且价格下跌，在存储器厂减少资本支出及延后扩产下，拖累2019年全球半导体产业资本支出规模年减约8%至978亿美元，较去年减少80亿美元，而存储器产业占全球资本支出比重亦降至43%。

业内人士认为，存储器价格走跌，已有效刺激出市场需求，而存储器厂下修资本支出，价格跌势将趋于和缓，第三季DRAM及NANDFlash合约价已见止跌，对南亚科、华邦电、旺宏等存储器厂营运有正面助益。

根据统计，2017及2018年全球半导体产业资本支出创下历史新高，自2013∼2018年，存储器产业资本支出占全球资本支出比重由27%大举跳升至49%，2019年下降至43%，整体来看7年来的年复合成长率(CAGR)高达18.9%。

ICInsights预期今年全球半导体资本支出规模将年减8%至978亿美元，其中，快闪存储器(Flash)产业资本支出年减21%为223亿美元，DRAM产业资本支出年减19%至192亿美元，整体存储器产业资本支出年减约20%至415亿美元。

由存储器市况来看，以NAND为主的Flash产业资本支出在过去两年大幅增加，过去18个月当中，包括英特尔、东芝存储器及威腾(WD)、武汉新芯及长江储存等都加快3DNAND的量产，至于DRAM产业新增产能虽不多，投资主要是进行制程向1x/1y纳米推进，包括三星、SK海力士、美光等三大厂都有不小的DRAM及NANDFlash新增产能开出。

由于DRAM及NANDFlash市场同步出现供过于求，导致价格持续下跌，直到今年第三季才看到止跌，但市场库存水位仍居高不下。ICInsights指出，过去两年全球各大存储器厂的扩产计划都已完成或接近完成，产能增加导致价格下跌，所以今年存储器厂明显缩减资本支出。

至于存储器价格是否续跌，ICInsights认为取决于各厂对资本支出的调整，由于美光及SK海力士等大厂已有减产动作，若减产态度持续应可平缓存储器价格跌价趋势。再者，由短期供需面来看，供给过剩造成的低价已让消费者开始增加搭载容量，或多或少能弥补存储器厂的跌价损失。