MIT林肯实验室开发独特工艺，可使集成电路抵抗极端辐射引起的故障损坏

麻省理工学院（MIT）的林肯实验室开发出一种独特工艺，可以使集成电路抵抗极端辐射水平（例如在太空或地球上高空的辐射水平）引起的损坏和故障。

这种制造能力是 90nm 全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI）互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺，现正转让给芯片制造商 SkyWater Technology，后者将使用它来生产经辐射硬化的产品，或 rad hard，电子产品。

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在美国国防高级研究计划局（DARPA）的赞助下，林肯实验室于 1990 年代中期开始研究 FD-SOI 技术。随着晶体管尺寸的缩小和可装在硅芯片上的数量的增加，完全耗尽的技术可以帮助制造商提高其芯片生产的能效和性能。在随后的几年中，实验室的 FD-SOI 基线技术已针对在特殊条件下（例如射频范围，极低功率）以及低温，高温和极端辐射环境下的操作进行了优化。
 
极强的抗辐射能力是向 SkyWater 转移技术的基础。它是由美国国防部减少威胁机构（Defense Threat Reduction Agency）最初赞助的，最近由国防部长办公室通过受信任和保证微电子（T＆AM）计划提供支持，并由美国能源部提供了额外资金。
 
这项技术转让与国防部（DoD）T＆AM 计划在 SkyWater 进行的辐射硬化微电子的战略制造能力投资相关，该公司是经 DoD 认可的纯晶圆代工厂。

T＆AM 计划正在开发更多的微电子资源，以满足美国国防部的独特需求。T＆AM 计划寻求与行业和主要实验室合作伙伴合作，为国家安全和国防提供可持续的、有保证的技术解决方案。SkyWater 于 2019 年 10 月宣布这项投资，其中包括高达 1.7 亿美元的资金，用于增强国防部和防辐射市场的微电子功能。
 
这种抗辐射的制造能力将补充 SkyWater 现有的 90nm 抗辐射生产能力。除了满足美国国防部的需求外，这种转移还将给 SkyWater 带来防辐射电子设备的、与国防无关的机会，例如商业太空作战和医学成像应用。