由弱到强 三星电子是如何确立今天的地位的？

我国最近在举国家之力发展存储器，在这一关键节点，反观和学习三星存储器的成功之道是十分必要而现实的。

三星电子在存储器方面的成功，有外在因素如韩国政府的大力支持，以及美国对于日本半导体的反倾销策略等，但显然三星电子的内在因素起着决定性的作用。尤其是三星电子有一股气势，一定要成功超过日本，上下齐心合力，人的因素起了关键作用。

众所周知，DRAM的制造决定于成品率与产品成本，所以工艺生产线上每一步操作的成品率起着十分重要的作用。再加上三星的正确策略，在美国设立研发中心，采用与韩国制造同样的设备，以及用高薪聘请在美做存储器的韩国工程师，并在美国培训人才后，再回到韩国工作。另外在全球存储器周期性下降时，它采用反周期的加大投资策略，积极扩充产能等。

内在与外在的因素综合在一起，推动了三星电子的存储器业成功。同样分析天时、地利与人和，在中国似乎都具备了条件，好象仅是某些地方差了一点点。因此未来中国在突破艰难的存储器制造业中必须十分清醒，仅拥有大市场与足够的投资还不一定能获得成功，需要人才的配合，并要有一股气势与勇气，以及技术上的真正过硬。

三星半导体业起步

韩国半导体在1974年才开始起步，那时韩国正在推行一种叫”新社会运动”的活动。韩国半导体工业的第一个fab为韩国半导体Puchon厂，建于1974年10月。由于开张就面临财务危机，在同年12月仅生存三个月后，就被李健熙（LeeKunhe）主席的私人投资兼并，后被并入三星。

自1980年代之后，韩国半导体业才开始跨越式的进步，三星在1983年开始筹备集成电路制造也即DRAM的研发。

64K DRAM的研发成功对于韩国半导体业具有里程碑意义，也是迈向全球存储器强国的第一步。在那时三星电子的科研工作者，日以继夜，努力追赶，放弃一切节假日休息，靠的是一股精神及志气。

在64K DRAM研发中，韩国非常清楚自己与先进国家之间的技术（1．5微米）差距为4年半，需要一步一步地追赶。在256K DRAM（1．2微米）时，这一差距已缩短为3年。在1989年10月，三星已经成功开发出16M DRAM（采用0．25微米技术），它已领先于全球任何一家制造商。

也即三星电子从1983年开发存储器，到1989年的16M DRAM研发成功，仅利用6年的时间，就前进了5代DRAM的技术，使三星电子一跃成为全球最先进的存储器制造商。

三星电子从1983年开始DRAM的研发，1987年就实现第一次盈利，一直到1993年16M DRAM的量产，奠定了它在全球存储器霸主的地位。

它最为关键的决策是三星在1993年时就大胆投资兴建8英寸硅片生产线来生产DRAM。在当时全球6英寸硅片是主流地位，英特尔与台积电分别于1992年及1996年才兴建它们的第一条8英寸生产线。因为当时投资一条8英寸生产线的费用高达10000亿韩元（相当于10亿美元以上），风险很大。

1994年是韩国半导体工业的转折点，三星首先发布全球首块256M DRAM，当时256M DRAM意味着在手指甲大小的芯片上集成2．56亿个晶体管及2．56亿个电容。

为了超过日本半导体，三星电子在开发64M DRAM的同时就已组建256M DRAM研发团队。70位研究人员在Hwan Chang－Kyu领导下努力奋战，经过两年的努力终于在1994年8月29日研制成功全球第一块256M DRAM芯片。

非常有趣的是第一批样品就实现了全功能，但随后检验及测量的次数反复达10次之多，生怕有误差，由此奠定了在存储器方面韩国超过日本的基础。