彻底干掉NAND闪存！美好的电阻式RAM来啦

　 NAND闪存已经成为固态存储的现行标准，并且正在向3D立体堆叠和更新工艺迈进，不过它也存在诸多问题，尤其是寿命随着工艺的先进化而不断缩短，TLC格式也引发了诸多质疑，因此研发一种可取而代之的新式非易失性存储技术势在必行。

　　这其中最有希望的就是电阻式RAM（简称RRAM），三星、闪迪等巨头都在投入，但走在最前列的是一家美国创业公司Crossbar。

　　Crossbar成立于2010年，总部位于加州生克拉拉，已融资5000多万美元。公司的很多创业人员都来自密歇根大学，首席科学家、联合创始人Wei Lu（卢伟）就是那里的副教授。团队现有40-45人，大多都有深厚的半导体研发背景。

　　RRAM相较于NAND最大的优势就是更好的性能、寿命。NAND的读取延迟一般在几百微妙级别，Crossbar宣称他们可以做到最低50纳秒，也就是加快了上万倍。

　　RRAM的编程/擦写循环更是可以达到数百万次，初期也能做到10万次左右，NAND闪存现在只有区区几千次。

　　令人欢欣鼓舞的最新消息是，Crossbar宣布他们的RRAM已经开始进入商业化阶段，也就是有了可用的成品芯片，并证明自己能够进入工厂量产。

　　Crossbar初期准备面向嵌入式市场，授权给ASIC、FBGA、SoC开发商，预计首个样品2015年初出炉，2015年底或2016年初量产。

　　除了授权，Crossbar还在开发自己的芯片，容量和密度更高，大概会在2017年面世。