群雄并起时代来临 中国集成电路产业压力与契机并存

　　2016年3月28日，世界级的国家存储器基地项目在湖北武汉东湖高新区正式启动，计划5年内投资1600亿元人民币（约240亿美元），到2020年形成月产能30万片芯片的生产规模，到2030年建成每月100万片芯片的产能。作为国家发展集成电路产业的重大战略部署、湖北省改革开放以来单体投资最大的高新产业项目，将为我国提供打破主流存储器领域空白、实现产业和经济跨越发展的坚实支撑。

　　图1-国家存储器基地项目启动仪式现场

　　为保证该项目顺利实施，国家集成电路产业投资基金股份有限公司、湖北省集成电路产业投资基金股份有限公司、国开发展基金有限公司、湖北省科技投资集团有限公司共同出资作为股东，在武汉新芯集成电路制造有限公司的基础上组建一家存储器公司，作为国家存储器基地项目实施主体公司。

　　工信部副部长怀进鹏在致辞时表示，“国家存储器基地项目的启动，是我国信息技术产业在“十三五”开局之年抓机遇、补短板、推动重大生产力布局的战略机遇，在我国集成电路产业发展史中具有里程碑意义。工信部将会同国家相关部委，坚定支持存储器项目建设和相关产业发展。”

　　图2-湖北省省委书记李鸿忠宣布基地启动

　　十年磨剑—武汉新芯承接存储器基地项目的基础

　　历经10年发展，武汉新芯现已成为我国唯一以存储器为主的集成电路制造企业。据悉，项目分期 建造晶圆 厂，生产3D NAND Flash。与平面（2D）相比，3D NAND技术更具有优势，能利用立体空间提高存储密度，并且在提高性能的同时降低成本。

　　图3-武汉新芯集成电路制造有限公司

　　武汉新芯集成电路制造有限公司执行副总裁/商务长陈少民先生接受记者采访时表示，目前“中国光谷”已具备实施存储器基地项目的五大基础：

　　一、产业基础。中国半导体在过去10年中同比成长18%，全世界的半导体成长则是跟着全球经济的经济发生变化，中国半导体产业发展惊人。本次基地项目预计2020年达到20万片3D-NAND Flash晶圆及10万片DRAM晶圆；12寸晶圆按照每片700颗芯片计算，年产能估算为25亿颗芯片。据悉2018年二期、三期也将陆续启动，总投资将近1600亿人民币。

　　二、技术基础。武汉新芯多年来主要从事NOR Flash闪存的芯片代工，在研发和生产过程中积累了丰富的实战经验，并且已与国内外知名厂商和研发机构开展合作。同时，东湖高新区已组建具备国际水平的集成电路工业技术研究院、集成电路IP交易中心、集成电路共享服务平台，搭建产学研链条，为快速投入量产奠定了强大技术基础。拥有自主知识产权，同时又打造了完整的产业链，自主技术可控、时间窗口适宜，是发展的绝佳时机。