三星取消中间工艺4nm：5nm后直接上马3nm GAAFET

GF（格芯）退出7nm研发后，金字塔尖的先进制程工艺争夺主要围绕台积电、Intel、三星开展。

最新消息称，三星已经重修了工艺路线图，取消了此前用于过渡的4nm，在5nm为FinFET（鳍式场效应晶体管）后，直接上马3nm GAAFET(环绕栅极晶体管)。
三星的4nm原定于2021年量产，可其真实身份无非5nm改良。对于三星取消的原因，一方面是3nm推进顺利，另一方面则是市场竞争需要，如果能抢在台积电之前搞定技术难度更高的3nm GAAFET，无疑将为自己争得可观的机会。

三星如今的掌门人李在镕非常看重芯片代工业务，这一切或也得到了他的授意。
此前，三星曾透露，3nm芯片相较于7nm FinFET，可以减少50%的能耗，增加30%的性能。
至于台积电的3nm，据说第一代还是FinFET，总投资高达500亿美元，风险试产也推迟到了今年10月。