三星发现全新半导体材料：内存、闪存迎来革命

三星电子宣布，三星先进技术研究院(SAIT)联合蔚山国家科学技术院(UNIST)、英国剑桥大学，发现了一种全新的半导体材料“无定形氮化硼”(amorphous boron nitride)，简称a-BN，有望推动下一代半导体芯片的加速发展。

近些年，三星SAIT围绕只有一层原子厚度的2D材料展开了集中攻关，尤其是围绕石墨烯取得了多项突破，包括石墨烯势垒三极管、新的石墨烯晶体管、大面积单晶体晶圆级石墨烯制造新法等等，并在加速它们的商业化。

无定形氮化硼拥有无固定形状的分子结构，内部包含硼原子、氮原子。它源自白石墨烯，后者也有硼原子、氮原子，不过是六边形结构，无定形氮化硼则与之截然不同。

三星表示，无定形氮化硼的介电常数非常之低，只有区区1.78，同时又有很强的电气和力学属性，作为一种互连隔绝材料可以大大减少电子干扰，而且只需400℃的超低温度，就能成长到晶圆级别尺寸。

三星认为，无定形氮化硼有望广泛应用于DRAM内存、NAND闪存的制造，特别适合下一代大规模服务器存储解决方案。

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