三星首发新款10nm级内存芯片，功耗降低30%

7月17日，三星对外宣布，已经成功基于10nm级（10～20nm）工艺，开发出首款LPDDR5－6400内存芯片，其中，LPDDR5内存芯片单颗容量8Gb（1GB），容量的模组原型还尚未完全被验证。

此外，该芯片的内存速度（针脚带宽）最高6400Mbps ，是LPDDR4X 4266Mbps的1．5倍；且芯片每秒可以传送51．2GB数据，相当于14部1080P电影（每部3．7GB）。值得指出的是，如果传输通道是在电脑端的128bit BUS，该芯片每秒传输数据量将会超100GB。

在功耗方面 ，该芯片比上一代产品LPDDR4X要低30％。三星表示，功耗的降低主要得益于动态调节电压、避免无效消耗、深度睡眠等新技术加入。

据悉，三星的8Gb LPDDR5规格弹性较高，1．1V工作电压下可达6400Mbps，1．05V下可达5500Mbps，供手机、车载平台自行选择。

资料显示，2014年，三星首先成功量产8Gb LPDDR4内存芯片，之后，就开始推进向LPDDR5新标准的过渡。新的8Gb LPDDR5内存芯片是三星高端DRAM产品线的一部分，后者已经包括10nm级的16Gb GDDR6显存芯片（2017年12月量产）和16Gb DDR5内存芯片（今年2月份开发完成）。

LPDDR5内存芯片将用于移动设备如手机、平板、二合一电脑等。三星称，5G和AI将是其主力服务的场景，他们将在位于韩国平泽市的工厂量产LPDDR5、GDDR6和DDR5 DRAM芯片。