彻底干掉NAND闪存！RRAM来袭

　  NAND闪存已经成为固态存储的现行标准，并且正在向3D立体堆叠和更新工艺迈进，不过它也存在诸多问题，尤其是寿命随着工艺的先进化而不断缩短，TLC格式也引发了诸多质疑，因此研发一种可取而代之的新式非易失性存储技术势在必行。

　　这其中最有希望的就是电阻式RAM(简称RRAM)，三星、闪迪等巨头都在投入，但走在最前列的是一家美国创业公司Crossbar。