Micro LED 多国厂商竞相投入

LED厂预估Micro LED可望在3～5年后步入量产，光电协进会（PIDA）产业分析师陈逸民也预估，Sony试作的Micro LED采用600万颗LED芯片，进行高密度封装，若进阶到4K／8K分辨率领域，势必面临更高门坎，因此Micro LED应会先从中小尺寸着力，预估2020年才有机会步入商业化量产。

虽然距离商业化量产仍有段距离，但看好Micro LED的未来性，仍吸引国内外厂商竞相押注，根据光电协进会的统计，台、美、日、法、爱尔兰等国均已有公司投入Micro LED开发，除了一线大厂苹果、Sony之外，根据光电协进会的数据，有面板产业渊源的陈立宜创办Mikro Mesa，已开始申请Micro LED相关专利， 并在四川重庆设立开发实验室。

陈逸民指出，以LED作为发光组件除了具有极佳功能与稳定度外，近年来芯片价格急速下跌及技术开发的进步，已逐渐变得可实际应用于产品上，然而技术门坎还是相当高。

陈逸民分析，蓝光及绿光的LED芯片是将氮化镓（GaN）磊晶在蓝宝石基板上，而红光LED芯片是以砷化镓（GaAs）为基板，要将RGB芯片整合并非易事。

他以Sony试作的CLED为例，为了达到高画质（Full HD）效果，采用个别制造LED芯片，将200万组RGB芯片，合计600万个LED芯片进行高密度封装，这是高难度制程，进阶到4K／8K，除了具备高密度封装技术外，若有单一芯片不良的情形时，可以预想到呈现效果。 因此，目前Micro LED着力于中小尺寸面板的机会较高。

陈逸民估计，Micro LED显示技术至少要到2020年才有机会开始商业化应用。

LED厂与面板厂多半将Micro LED的量产关键聚焦于设备，巨量转移的设备未臻成熟，检测设备也是一大问题，以40吋液晶电视尺寸为例，晶电预估需要2,400万颗LED，如何挑拣出坏点、修复，对设备商来说是一大挑战。