三星12英寸闪存芯片二期一阶段项目竣工投用

7月1日，西安高新区重点项目集中开工、竣工仪式举行，据西安高新区消息，此次集中竣工投用仪式的项目共有25个，总投资560亿元，包括三星12英寸闪存芯片二期一阶段等项目。

西安高新区发文指出，这些项目的顺利投产，将为高新区半导体产业发展注入更强大的动能，进一步巩固高新区全球半导体产业基地的地位。

三星存储芯片项目2012年落户西安高新区，一期项目于2014年5月竣工投产，总投资108亿美元，建成了三星电子存储芯片项目和封装测试项目；二期项目总投资150亿美元，主要制造闪存芯片，分两个阶段进行，其中第一阶段项目总投资70亿美元；第二阶段投资80亿美元。

三星高端存储芯片二期第一阶段项目曾在今年3月10日举行产品下线上市仪式。西安新闻网报道称，三星高端存储芯片二期第一阶段项目已具备量产能力，预计今年8月实现满产；二期第二阶段项目，投资80亿美元，于2019年12月25日正式启动，预计2021年上半年实现量产。

据此前的消息指出，三星高端存储芯片二期项目建成后将新增产能每月13万片，新增产值300亿元，解决上千人就业，并带动一批配套电子信息企业落户，使西安成为全球水平最高、规模最大的闪存芯片制造基地。

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