集成LED的封装

    目前，通常使用单层或双层铝基板作为热沉，把单个芯片或多个芯片用固晶胶直接固定在铝基板（或铜基板）上，LED芯片的p和n两个电极则键合在铝基板表层的薄铜板上。根据所需功率的大小确定底座上排列led芯片的数目，可组合封装成1W、2W、3W等高亮度的大功率LED。最后，使用高折射率的材料按光学设计的形状对集成的LED进行封装。

    这种芯片采用常规芯片，并高密度集成组合，其取光效率高、热阻低，可以根据用户的要求来组合电压和电流，也可以根据用户的要求制作成不同的体积和形状。这种集成LED的价格比单芯片1W功率的LED要低，但是光效高，适合在灯具上作为背光源，并且路灯、景观灯都可以采用。这是一种很有发展前景的LED大功率固体光源，其结构如图1所示。

图1  多芯片组合集成大功率LED示意图

    对于多芯片集成的大功率LED，在制作工艺上必须注意：

    ·要对LED芯片进行严格的挑选，正向电压相差应在±0.1V之内，反向电压要大于10V；制作时要特别注意防静电，如果个别的芯片被静电损坏，但是又无法检出，那么这对整个大功率LED的性能影响很大。在固晶和焊线后，要按满电流20mA点亮一个小时，合格后才能进行点荧光粉和灌胶。封装好后，还要进行几个小时的老化，然后进行测试和分选。

    ·在排列芯片时，要让每个LED芯片之间有一定的间隙。

    ·在固晶时，LED芯片要保持一样高度，不要出现有的芯片固晶胶较多，垫得很高，而有的又很低；只要芯片的底部粘有一定的固晶胶，可以固定住芯片即可（推力不小于100g）。在其他地方不要留有固晶胶，否则多余的固晶胶会吸收光线而不利于出光。

    ·因为芯片的排列可能有串联、并联之分，所以在焊线时，尽量保持每根金丝相隔一定的距离，并保持平行，不能交叉。金丝要有一定的弧度，并且不能从芯片上跨过。

    ·保持固晶下面的热沉面光洁，让光线能从底座反射回来，从而增加出光。因此在铝基板上挖开的槽要光滑，这样有利于出光。

    ·铝基板挖槽的大小和深度，要根据芯片的多少和出光角度的大小来确定。

    根据LED技术的发展，大功率的光源必须由多个芯片集成组合，所以多个芯片集成为大功率LED光源的技术和工艺必将不断发展。