前五大存储公司占全球95%%市场，中国如何撕开存储芯片垄断围栏？

编者按：存储芯片在新一代信息技术产业中扮演着重要角色，但前5家公司高度垄断全球市场，我国发展存储芯片产业关乎国家安全，意义重大。当前全球集成电路进入重大调整变革期，为我国发展自主可控的存储芯片产业提供了重大机遇。《中国电子报》将推出“存储中国”系列报道，从产业政策、市场竞争、技术路径、发展模式等方面探索中国存储芯片产业发展之道。

去年由中国资本(或企业)发起的重大兼并重组案例近半数与存储相关——武岳峰资本收购芯成半导体、同方国芯收购西安华芯半导体、紫光集团参股西部数据和台湾力成等。此外，武汉将打造存储芯片产业龙头，并得到国家集成电路产业投资基金的支持，紫光将打造存储芯片产业基地的消息更是不断发酵。

从中可以看出中国对存储产业志在必得的决心。中国每年进口的存储芯片近600亿美元。发展存储器芯片可以说是战略性产业中的重要一环。作为存储器的消费大国和生产小国，发展存储产业具有战略意义。

前五大存储公司垄断全球95%%市场

“全球存储器市场经过多年博弈格局已经基本定形，当前市场的总体形势是供大于求，因此新的技术和新的产能都将面临很大压力。”武岳峰资本副总裁许伟表示。

从美光公司提供的一组数据也可以看出目前全球存储业进入高度垄断时代：2008年全球前五大存储芯片公司，包括三星、海力士、美光、闪迪、尔必达，总营收为整个市场的75%%。在过去12个月中，全球前五大存储芯片公司，包括三星、美光、SK海力士、东芝、闪迪，总营收已占整个市场的95%%。

市场研究机构DRAMeXchange表示，与DRAM三大厂商寡占的格局不同，NANDFlash厂商数量略多一些，而且市场份额也较为分散。主要的生产厂商包括三星、美光、东芝、SK海力士、英特尔等。尽管近几年来NAND产业也频频出现兼并收购，但主要还是集中在闪存控制芯片、企业级解决方案等上面，NAND主要生产厂商间并未产生有效整合。

从产业形势来看，三星在NAND市场是重要一员，份额在35%%左右，且增长率高于产业平均水平，随着其在中国大陆西安厂的建成投产，未来优势将进一步得到巩固。

东芝则与闪迪结盟，合作生产NAND，是仅次于三星的厂商;SK海力士在NAND市场力量相对薄弱，2013年受到火灾影响后，曾一度将部分NAND生产线转为生产DRAM。

美光除了自有的厂房外，还与英特尔合资建厂生产NAND，2015年合作推出3DXPinot，如果按计划于2017年量产，有可能对现有高端存储格局产生影响。

存储芯片关乎新一代信息技术产业成败

由于手机通信与大多数人的生活息息相关，所以人们对通信芯片更加熟悉。以至于大多数人们谈起手机CPU、3G/4G芯片等专业名词来，也能随手拈来。通信基带芯片固然十分重要，但是全球市场也才300亿美元左右，而存储器市场却高达800亿美元，中国每年进口的存储芯片近600亿美元。发展存储器芯片可以说是战略性产业中的重要一环。

“这个问题其实已经不再需要讨论，中国必然要发展存储产业。”在接受《中国电子报》记者采访时中科院微电子所所长叶甜春指出，“我国每年芯片进口超过2000亿美元，其中存储芯片占30%%左右。如此庞大的市场不去占领，进口替代就无从谈起。”

存储器不仅大量应用于智能手机、平板电脑、PC等产品之中(实际上只要是有CUP的地方就要用到DRAM)，而且随着社会进入云计算、大数据时代，存储器已经成为关系到下一代信息技术成败的战略性新兴产业。

在食品领域，国家有粮食安全战略;在环保领域，国家有环境安全战略;在电子信息领域，国家也应当有零部件的供给安全战略。

“如果自身没有安全可控的存储产品，市场被国外企业垄断，一旦出现超常规的激烈竞争，在供货或产品价格上出现‘卡脖子’的现象并非不可能。”华芯半导体总裁高传贵指出。

正是由于认识到了这些问题，在2014年发布的《国家集成电路产业发展推进纲要》中，特别指出要发展新型存储等关键芯片产业，抢占未来发展的制高点。在工信部印发的“互联网+三年行动计划”中也提出到2018年，高性能计算、海量存储系统等领域取得重大突破。

3D NAND技术具备弯道超车的可能

挑战虽然巨大，但是中国发展存储产业并非没有机会。“从产业上看，尽管存储芯片业已经发展30余年了，但它仍在不断发展进步，新技术、新工艺、新的产品形态不断涌现，工艺缩减，性能提高，功耗降低，仍然具有极大的市场活力，如三维闪存技术等，存储产业仍然拥有大量可以深入挖掘的空间。”叶甜春表示。

2015年，武汉新芯宣布，其正在进行的3D NAND的研发取得了重大突破，具有9层结构的三维存储器芯片下线并一次性通过了存储器基本功能的电学验证。武汉新芯高级副总裁李平表示，武汉新芯确定以3D NAND技术为突破口，填补我国集成电路产业在存储器领域的空白。他说，3D NAND是最新技术，具备弯道超车与国际最先进企业竞争的可能，通过自主研发，有了自己的知识产权，这奠定了今后持续发展的基础，以及在技术最前沿参与国际竞争的实力。

在市场角度来看，中国从3D NAND切入存储产业也存在基础。根据DRAMeXchange的预估，智能手机与固态硬盘(SSD)是当前NANDFlash最主要的应用。由于对大容量、高速度存储需求的增加，这些年智能手机搭载NANDFlash的容量快速增长，预计2015年将增长12%%。

此外，PC中逐渐开始青睐采用SSD，数据中心对NANDFlash的需求也保持着较快增长。不过，由于目前SSD的每GB价格仍然高出普通磁盘(HDD)许多，未来这块市场的需求仍存在一定不确定性。

Gartner则认为，TLC(Triple-Level Cell，三层式存储)和3D将成为NAND技术的关注重点，特别是三星电子已对3D NAND实现商用化，预计2016年以后其他厂商也将实现商用并普及应用。TLC和3D NAND将竞相成为NAND闪存的最低成本选择。

可借鉴面板行业发展经验

不过，采访中几乎所有受访人都提到“存储产业属于高投入、回报周期长、高风险的产业，进入实际运营一定要十分谨慎”。“存储产业是一大投入、大产出的门类，将考验投资方的耐心。在投入之前首先就要做好长期投资的心理准备。同时，一旦确定之后就要坚定不移。这是一个拼意志拼执行效率的行业。”北京建广资产管理有限公司孙卫指出。

孙卫还建议，与面板行业类似，存储芯片也是一个产值巨大、需要长期巨额投入、但短期内很可能看不到回报的行业。面板产业的特点与存储产业有相似之处，应当总结这些年来我国在面板产业中的投资经验，为其他产业的发展提供借鉴。

在实际运营过程中要保持开放与国际化心胸。叶甜春指出：“电子业是一个国际化的行业，中国发展存储更不可能闭门造车。存储企业应当是一个国际化的企业，有国际化的团队管理、运营。坚持自主创新。”

同时，国家要做好各种配套政策，为企业的发展创新创造好的环境。“在资本层面，国家必须为优质的公司打开快速的资本市场通道，取消各种制约措施。由于人才的竞争特别是全球人才的竞争极其重要，充分放开对于外籍员工的持股限制，不管是否在境内工作，放开非公众公司不得超过200名股东的限制。在金融支持上，应放开对于优质并购项目的杠杆使用制约。”许伟建议。