联电携手福建晋华 开发DRAM制程新技术

晶圆代工厂联电宣布，接受福建省晋华集成电路委托，开发动态随机存取内存(DRAM)相关制程技术，将为DRAM产业投下震撼弹。

大陆积极投入内存领域发展，由福建省政府投资的晋华集成电路找上联电开发DRAM相关制程技术。

联电表示，将在南科厂筹组超过 100人团队，投入DRAM相关制程开发，将由晋华提供DRAM特用设备，并依开发进度支付技术报酬金作为开发费用，开发成果将由双方共同拥有。

业界认为，大陆积极投入发展内存领域，利基型内存技术开发相对容易;联电技术实力，可成为晋华跨足利基型内存领域基础，后续还有不少想象空间。

联电指出，这次合作是结合台湾半导体制造能力，与大陆市场及资金，双方所开发的技术主要应用在利基型DRAM生产，不仅能提供国内IC设计厂使用，同时能结合逻辑技术，提供更高附加价值的晶圆代工服务。

联电同时强调，这项合作，联电仅负责技术开发，并没有进入DRAM产业或投资晋华的规划。

联电的厦门联芯12吋厂是台厂最快前进大陆者，预计于今年底投产，外界关注联电是否会有更多动作，抢占大陆半导体商机。

而针对本案，经济部工业局副局长吕正华表示，由于国内未有主要DRAM自主技术，目前主要技术掌握在美光(Micron)、三星电子(Samsung Electronics)、海力士(SK Hynx)等公司，尽管国内有DRAM厂华亚科、台湾美光等公司，但皆属于国外技术授权在台代工。

吕正华强调，这次联电与陆厂因未涉及关键技术、属于单纯技术合作，因此经联电提出申请后，不必召开关键技术小组会议，投审会约今年3、4月来函询问工业局、技术处意见，最后同意该合作案。