光刻机、蚀刻机迎来突破，为何造不了高端芯片？任正非给了答案！

目前的中国芯，在加速前行！

有统计显示，去年我们买了全球80%的芯片，国内依然是IC最大的市场，但尴尬的问题就在于ICInsights曾多次发出警告表示，国内芯片产能偏低，与这样的市场不匹配，对于市场发展有很大的阻碍。

其实经过华为、中芯事件之后我们也就看到，老美通过限制，使得我们芯片无法再进行下去，尤其是看到“梁孟松表示中芯已经量产14nm，走到了7nm甚至是3nm，可EUV光刻机不到位也无法进行下去”时，莫名感到一种“憋屈”，芯片卡脖子问题一定要解决。

于是我们看到国家定下2025年实现芯片自给率70%的目标，更有南京成立芯片大学，上海要在2035年之前建立世界级“东方芯港”，而清华大学传来攻克光刻机关键技术的好消息，这个时候就会有网友问，中国芯在如此发展的道路上，是不是造高端芯片指日可待？但尴尬的是，难！而这个背后的原因，任正非给得令人也很意外！

造不如买的后果，我们承担了！

很多人在谈到制造中国芯的时候就表示，当年一穷二白靠算盘不也是把原子弹给搞出来了吗？那么这小小的芯片更是不在话下，话是这么说，但事不是这么个事！

在1978年的时候我们就已经研究出5微米制程半自动光刻机，这还是在技术封锁的情况下取得的成绩，可以说是很不错了，只是后来走了“造不如买”的路，才有了如今这样的局面。

另外一个就是轻资产的投资。在一颗小小的芯片诞生过程中，轻资产投资指的是芯片设计，而最为关键的也是重资产投资的制造环节，很少去投入，而且这一点到了现在也是如此。

那么为什么会出现这种情况呢？首先来说就是制造环节难题比较难以攻克，相对来说设计方面见成效比较快，所以不管是为了快速资金回笼还是为了抢占市场，设计领域都是比较好入手的！

但这也是我们的“错误”！

光刻机技术迎来突破，为何还是造不了芯片？

前一段时间中芯拿到了老美的生产许可，但也止步于14nm，7nm则变得遥遥无期。

任正非曾经在接受采访的时候表示，国内是能够设计出芯片，但制造不出，主要是基础工艺不行，而这就牵扯到光刻机和化学材料等方面的技术问题。

不过此前清华大学也表示在光刻机光源方面获得了突破性进展，而南大光电自主研发的ArF（193nm）光刻胶也获得了认可，按理来说光刻机问题应该解决了很多，但实际上一台先进光刻机，所牵扯到的问题远不止如此。

贺荣明（上海微电子总经理）对光刻机曾这么说过“两架飞机同起同落，一架飞机在另一架飞机之上用刀片在小米粒上雕刻清明上河图”，可见其难度多大！

而且它更是融合了诸如数学、化学、光学、流体力学、高分子物理与化学等等方面的顶尖技术。ASML公司的EUV极紫外光刻机，每台十余万零部件，超180吨，每次运输超40辆卡车。

国产光刻机想要实现突破，不是一朝一夕的事情！

当然除了光刻机还有诸多关键性技术有待攻克。

中国芯道路漫漫，还有很长一段的路要走，但我相信，在众多科研工作者的努力之下，也一定能够迎来突破，中国芯也将实现自给自足！