4纳米大战，三星抢先用EUV、拥抱GAAFET

晶圆代工之战，7 纳米制程预料由台积电胜出，4 纳米之战仍在激烈厮杀。外媒称，三星电子抢先使用极紫外光（EUV）微影设备，又投入研发能取代“鳍式场效电晶体”（FinFET）的新技术，目前看来似乎较占上风。

Android Authority 报导，制程不断微缩，传统微影技术来到极限，无法解决更精密的曝光显像需求，必须改用波长更短的 EUV，才能准确刻蚀电路图。5 纳米以下制程，EUV 是必备工具。三星明年生产 7 纳米时，就会率先采用 EUV，这有如让三星在 6 纳米以下的竞赛抢先起跑，可望加快发展速度。

相较之下，台积电和格罗方德（GlobalFoundries）的第一代 7 纳米制程，仍会使用传统的浸润式微影技术，第二代才会使用 EUV。

制程微缩除了需拥抱 EUV，也需开发 FinFET 技术接班人。电晶体运作是靠闸极（gate）控制电流是否能够通过，不过晶片越做越小，电流通道宽度不断变窄，难以控制电流方向，未来 FinFET 恐怕不敷使用，不少人认为“闸极全环场效电晶体”（Gate-all-around FET，GAAFET）是最佳解决方案。

今年稍早，三星、格罗方德和 IBM 携手，发布全球首见的 5 纳米晶圆技术，采用 EUV 和 GAAFET 技术。三星路径图也估计，FinFET 难以在 5 纳米之后使用，4 纳米将采用 GAAFET。尽管晶圆代工研发不易，容易遇上挫折延误，不过目前看来三星进度最快。该公司的展望显示，计划最快在 2020 年生产 4 纳米，进度超乎同业，也许有望胜出。